Плавление и возгонка являются процессами, противоположными кристаллизации: они устраняют дальний порядок в расположении атомов.
В отличие от кристаллизации, которая начинается после переохлаждения, плавление происходит без перегрева выше точки плавления Тб (рис.1).
При достижении температуры Тб кристаллы обычно оплавляются на поверхности, а затем плавление распространяется Читать далее →
Дефектограмма №12.
Метод контроля: Радиографический.
Наименование объекта контроля: Контрольный образец.
Нормативная документация: ГОСТ 7512-82, ГОСТ 23055-78.
Конструкция объекта контроля: Пластина.
Тип сварного соединения: Стыковое соединение.
Материал: Сталь (Fe).
Толщина сваренных элементов: 10 мм (номинал).
Способ сварки: Ручная аргонодуговая сварка.
Марочник сталей и сплавов: Ст17ГС
Пробочные и прорезные швы отображаются одним и тем же условным знаком; для обоих видов условный знак может проставляться с любой стороны полки. Пробочные швы отличаются от прорезных швов тремя размерными параметрами. Во-первых, размер пробочного шва характеризуется его диаметром, а размер прорезного шва – его шириной. Размер пробочного шва указывается с помощью символа диаметра ø. Этот символ отсутствует в указании ширины прорезного шва. Во-вторых, для прорезных швов указывается значение длины. Интервал между сварными участками (шаг) пробочных швов указывается на той же позиции, где дается длина для прорезных швов. В-третьих, положение и ориентация прорезей должны указываться на чертежах (рис.1 и рис.2).
Спираль будет стационарно вращаться, не меняя своей формы, и скорость вертикального роста кристалла станет постоянной. Наступает это тогда, когда острие удалится от основания и кристалл приобретает цилиндрическую форму. Основание кристалла растет медленно, мала и скорость увеличения его поперечного сечения. В результате получается нитевидный кристалл. Его длина может достигать одного сантиметра, поперечник же не превышает нескольких микрон. Винтовые дислокации в таких нитевидных кристаллах «усах» размещены вдоль длинной оси.
В газовой фазе при малых пересыщениях могут расти и пластиночные кристаллы. Для их образования необходимо наличие в основании кристалла пересекающихся винтовых дислокаций. При больших пересыщениях число нитевидных Читать далее →
